三河矿用光缆MGTS-4B三河我们装修新房的时候，卫生间会有一个小箱子，大家有没有注意过，上面一般会写着“等电位联结端子箱”，可能有人不知道这个箱子是什么的，有一些装修工人直接就会把它砸掉了，千万不要小瞧这个盒子， 能救命的。这个小盒子的专业名称盒子上都已经写的很清楚啦，我们一般管他叫等电位，一些电工可能了解的更多，知道他的作用就类似于地线，可以起到一个保护的作用，我们一般大的电器都会有地线的口，这也是起到了一个保护的作用。
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5性能描述
100Ω,250MHz，23AWG；
符合 02。
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5优势
反转铝箔屏蔽层，保证屏蔽层端接；
蜗型技术保证弯曲时良好的屏蔽效果。
三河矿用光缆MGTS-4B三河矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5应用范围
六类/D级水平与垂直布线；
适用于有电磁干扰环境以及对数据传输安全性要求较高的地方；
高传输速率网络应用：千兆以太网，10/100BaseT等。
三河矿用光缆MGTS-4B三河矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5产品特 2007六类标准
2.具有向后兼容性，可向下兼容UTP5e及更低类别的系统，避免用户的投资损失
3.传输时延低，紧凑线缆设计，减少中电缆出现扭曲打结现象
4.中心PE十字骨架，Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距，具有高抗电磁干扰性，使传输信号的误码率降至Z低程度
5.内置撕裂绳，便于施工
6.线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号
7.内轴外纸箱包装，外箱贴有合格证
8.绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪，在线火花检测仪，在线水中电容检测仪等在线设备，保证了产品的高可靠性和一致性，绝缘单线采用彩条色标符合环保要求
9.所有使用铜及PE、PVC材质，都经过检测分析，放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内
10.绝缘层材料为高密度聚乙（HDPE）
11.外护套材料可选用不同阻燃等级材料
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能
1.工作电容：≤5.6nF/100米
2.线对对地电容不平衡：≤330pF/100米
3.额定传输速率（NVP)：65%
4.线对时延差：≤45ns/100米
5.Z大导体直流电 G)
6.线对直流不平衡电阻：≤2%
7.绝缘电阻Z小值(MΩ/Km)：5000
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5物理特性
1.传输带宽大于250MHz
2.23AWG线规
3.整箱线长305米
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能
产品特性：
2. 具有向后兼容性，可向下兼容UTP6、UTP5e及更低类别的系统，避免用户的投资损失
3. 传输时延低，紧凑线缆设计，减少中电缆出现扭曲打结现象
4. 中心PE十字骨架，Z大程度上保证过程中不破坏双绞线绞距，具有高抗电磁干扰性，使传输信号的误码率降至Z低程度
5. 屏蔽系统采用端到端屏蔽及接地设计，防止信号泄漏和外部干扰，屏蔽性能良好，抗电磁干扰能力强
6. 4F）
7. 单面覆塑铝箔屏蔽+丝网 />
8. 每个线对覆塑 FF）
9. 线缆外护套上间隔印有商标、电缆编号、电缆类别、线规、防火等级、标准、米数标、批号
10. 木轴装，轴上贴有合格证
11. 绝缘单线生产过程采用在线控制偏心仪，在线火花检测仪，在线水中电容检测仪等在线设备，保证了产品的高可靠性和一致性，绝缘单线采用彩条色标符合环保要求
12. 所有使用铜及PE、PVC材质，都经过检测分析，放射性有害重金属含量完全控制在严格标准内
13. 绝缘层材料为高密度聚乙（HDPE）
14. 外护套材料可选用不同阻燃等级材料或低烟无卤材料
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能：
1. 工作电容：≤5.6 nF/100米
2. 线对对地电容不平衡：≤330 pF/100米
3. 额定传输速率（NVP)：65%
4. 线对时延差：≤45ns/100米
(23AWG)
6. 线对直流不平衡电阻：≤2%
7. 绝缘电阻Z小值(MΩ/Km)： 5000
三河矿用光缆MGTS-4B三河矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能物理特性：
1. 传输带宽大于500MHz
2. 23AWG线规
3. 整轴线长305米
矿用阻燃网线MHYV4*2*0.5电气性能型号：
非屏蔽UTP-6
铝箔屏蔽FTP-6
铜网屏蔽STP-6场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
